Изменение концентрации парамагнитных центров в пленках $a$-Si, осажденных в вакууме при ионном облучении

Изучается влияние ионного облучения на концентрацию парамагнитных центров в пленках $a$-Si, формируемых вакуумным осаждением в условиях управляемого ионного облучения. Показано, что ионное облучение в интервале соотношений потоков ионов и осаждаемого вещества ($F_{i}/F_{k}$) $0{-}0.02$ увеличивает концентрацию парамагнитных центров с $g$-фактором 2.006, а с превышением ${F_{i}/F_{k}< 0.025}$ концентрация парамагнитных центров достигает насыщения и в $2{-}2.5$ раза превышает таковую в случае пленки, осажденной без дополнительного облучения.