Люминесценция карбида кремния в связи с отклонениями от стехиометрии

Показано, что выращивание монокристаллических слитков карбида кремния в неравновесных условиях, т. е. при скорости роста монокристалла $V_{p}$, много большей скорости самодиффузии компонентов $V_{g}$ — углерода и кремния, приводит к закономерному изменению соотношения $N_{\text{Si}}/N_{\text{C}}$ в получаемых образцах вдоль оси $C$ (направления роста монокристалла). С помощью спектров электролюминесценции и ток-яркостных характеристик светодиодов, изготовленных из различных частей слитка, изучено влияние изменения соотношения $N_{\text{Si}}/N_{\text{C}}$ в слитках $4H$- и $6H$-SiC на их электролюминесцентные свойства. Показано, что отклонения от стехиометрии в выращенных монокристаллах SiC воспроизводятся затем в полученных на этих кристаллах эпитаксиальных слоях.