Аннотация:
Обнаружено, что при низких температурах на участке
коротковолнового спада спектра фототока варизонных $m{-}s$-структур возникает
излом, связанный с фотонным дрейфом неосновных носителей заряда (ННЗ).
Предложена методика определения параметров фотонного дрейфа ННЗ
по спектрам фототока.
Экспериментально изучены варизонные $m{-}s$-структуры GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
с концентрациями дырок ${p=2\cdot10^{18}}$, ${7\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$
и значениями градиента ширины запрещенной зоны 120 и
100 эВ/см. Определены значения внутреннего квантового выхода $\eta$,
транспортной длины $\mathcal{L}^{+}$, а также фотонной $\mathcal{L}_{nr}$
и дрейфовой $\mathcal{L}_{n}$ составляющих транспортной длины.
Показано, что в структуре с ${p=2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ доминирует
фотонный перенос ННЗ, в то время как в структуре с
${p=7\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ преобладает перенос ННЗ за счет дрейфа
в квазиэлектрическом поле.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 29.06.1983 Принята в печать: 08.02.1984