Аннотация:
Развита теория несобственной фотопроводимости (ФП)
полупроводников типа Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te(In), основанная на микроскопической
модели однозарядных ян-теллеровских (ЯТ) дефектов с мелкомасштабными
флуктуациями их параметров: энергии дублетного уровня $\varepsilon_{0}$
и величины его расщепления $2\Delta_{0}$ в несимметричной конфигурации.
Теория объясняет экспериментально наблюдавшиеся особенности стационарной ФП
и ее переходные характеристики.
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию: 28.07.1983 Принята в печать: 08.02.1984