Поглощение электромагнитного излучения носителями в полупроводниках со сверхрешеткой в поперечном магнитном поле

В полупроводнике со сверхрешеткой (CP), находящемся в квантующем магнитном поле, поперечном к направлению периодичности потенциала CP, прослежены зависимости от поля коэффициентов межзонного, межминизонного и внутриминизонного поглощения. В поглощении выявлен ряд особенностей, связанных с тем, что обычная картина квантования Ландау отказывает уже в не слишком сильных полях. Это обусловлено спецификой полупроводников со СP — узкими минизонами и широкими ямами потенциала СР.