Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев, “Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 7,страницы 1230

Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией

Ж. И. Алфёров, А. Т. Гореленок, А. В. Каманин, В. В. Мамутин, Т. А. Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев, Ю. В. Шмарцев

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Впервые сообщается об обнаружении двумерного электронного газа в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InP, полученных жидкофазной эпитаксией. По осцилляциям Шубникова–де-Гааза определены некоторые параметры электронной системы.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 06.02.1984
Принята в печать: 09.02.1984