Диффузия неравновесной электронно-дырочной плазмы в магнитном поле и ее проявление в рекомбинационном излучении полупроводников

Исследовано влияние диффузии неравновесных электронно-дырочных пар (НЭДП) в продольном и поперечном магнитном поле на излучательную рекомбинацию в полупроводниках (GaAs). Показано, что в поперечном магнитном поле перенос НЭДП существенно модифицирует излучательную рекомбинацию. На основании проведенных исследований удалось изучить перенос НЭДП в магнитном поле и его проявление в люминесценции полупроводников, а также определить ряд важных параметров исследуемых кристаллов: время релаксации по импульсу, величину объемного времени жизни и скорость поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда.