Изменение спектров оптического пропускания и фототермической ионизации мелких доноров в $n$-GaAs при легировании его In и Sb

Обнаружено, что максимум линии $1s{-}2p$ в спектре водородоподобной примеси в $n$-GaA сдвигается в сторону больших энергий фотонов при введении изовалентных примесей (ИВП) In и Sb. Величина сдвига составляет 0.07 мэВ при концентрации In ${\sim7\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$ и 0.18 мэВ при концентрации Sb ${\sim1.8\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$. Обнаружено также, что при легировании эпитаксиального слоя $n$-GaAs индием линия $1s{-}2p$ резко сужается как в спектре фотопроводимости, так и в спектре пропускания, что указывает на сильное (на порядок) уменьшение концентрации остаточной донорной примеси. Предполагается, что сдвиг пика $1s{-}2p$ обусловлен увеличением энергии ионизации мелкой примеси за счет эффекта центрально-ячеечной поправки, возникающего вследствие взаимодействия ИВП–мелкая примесь.