О зависимости квантового выхода фотолюминесценции в твердом растворе GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ от состава и температуры

Экспериментально исследованы зависимости квантового выхода фотолюминесценции (ФЛ) нелегированного твердого раствора GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ состава в области ${0 <x< 0.2}$ при температурах 4.2, 77 и 300 K и от температуры в интервале ${4.2\leqslant T\leqslant300}$ K. Некоторое возрастание квантового выхода ФЛ $\eta(x)$ при ${x< 0.06}$ в области низких температур обусловлено изменениями в ансамбле точечных дефектов кристалла и процессах диффузии неравновесных носителей заряда при введении третьей компоненты в арсенид галлия, а температурная зависимость $\eta(T)$ в этом интервале составов хорошо описывается двухуровневой моделью. Резкий спад квантового выхода ФЛ $\eta(x)$ при ${x> 0.06}$ для всего интервала температур связан с рекомбинацией неравновесных носителей на дислокациях. Этот же механизм безызлучательной рекомбинации приводит к усилению температурного тушения ФЛ при увеличении $x$.