О кинетике нарастания вентильной фотоэдс барьерной структуры

Теоретически и экспериментально изучается нарастание фотоэдс в отключенной барьерной структуре при ее засветке. Показано, что в течение практически всего процесса нарастания фотоэдс можно пренебречь током инжекции. Тогда при постоянной интенсивности засветки заряд барьерной структуры изменяется со временем по линейному закону. Это позволяет использовать такой режим работы для определения квантовой эффективности фотодиода, а при известной квантовой эффективности — для определения зависимости барьерной емкости от смещения.
Эксперименты, проведенные на структурах металл–полупроводник, подтвердили существование безынжекционного режима и позволили определить концентрацию ионизированных глубоких центров как функцию интенсивности засветки.