RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 7, страницы 1269–1271 (Mi phts1847)

Электроотражение карбида кремния в видимой и ближней инфракрасной областях спектра

В. И. Гавриленко, И. С. Горбань, Н. И. Клюй, В. Г. Литовченко, А. С. Скирда

Институт полупроводников АН УССР

Аннотация: В поляризованном свете измерены спектры электроотражения (ЭО) гексагональных ($6H$, $8H$) и ромбоэдрических ($15R$, $21R$, $27R$) политипов карбида кремния в спектральном интервале $1.0{-}3.0$ эВ. Полученные данные свидетельствуют о проявлении в спектрах ЭО SiC бесфононных оптических переходов между зонами, обусловленными наличием одномерной сверхрешетки. Показано, что существенное влияние на форму спектров ЭО SiC оказывают кулоновское взаимодействие, а также наличие локализованных энергетических состояний в запрещенной зоне, связанных с донорными примесями.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 01.12.1983
Принята в печать: 06.03.1984



© МИАН, 2024