RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 7,
страницы
1274–1277
(Mi phts1849)
Краткие сообщения
Температурная зависимость полосы 1.45 мкм в спектрах GaP : N- и GaAsP : N-светодиодов
В. Д. Черный
a
,
Р. Пиккенхайн
b
,
Т. Хензель
b
,
К. Креер
b
a
Московский энергетический институт
b
Universität Leipzig
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
01.12.1983
Принята в печать:
27.12.1983
Полный текст:
PDF файл (480 kB)
©
МИАН
, 2024