RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 7, страницы 1274–1277 (Mi phts1849)

Краткие сообщения

Температурная зависимость полосы 1.45 мкм в спектрах GaP : N- и GaAsP : N-светодиодов

В. Д. Черныйa, Р. Пиккенхайнb, Т. Хензельb, К. Креерb

a Московский энергетический институт
b Universität Leipzig

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 01.12.1983
Принята в печать: 27.12.1983



© МИАН, 2024