Физика и техника полупроводников,
1986, том 20, выпуск 4,страницы 770–773(Mi phts186)
Краткие сообщения
Пьезосопротивление, связанное с искривлениями энергетического рельефа
дна зоны проводимости кристаллов $n$-Si, упруго деформированных
в направлении $\langle111\rangle$