RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 770–773 (Mi phts186)

Краткие сообщения

Пьезосопротивление, связанное с искривлениями энергетического рельефа дна зоны проводимости кристаллов $n$-Si, упруго деформированных в направлении $\langle111\rangle$

П. И. Баранский, В. В. Коломоец, Ю. А. Охрименко

Институт полупроводников АН УССР

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 05.08.1985
Принята в печать: 10.11.1985



© МИАН, 2024