Аннотация:
Методом малоуглового рассеяния излучения
СO$_{2}$-лазера впервые обнаружены в полуизолирующем GaAs примесные
неоднородности с характерным размером (радиусом) ${\sim6{-}20}$ мкм
и концентрацией носителей заряда ${\sim10^{16}\,\text{см}^{-3}}$. Профиль
распределения носителей заряда в наблюдаемых микровключениях описывается
законом Гаусса. Исследованы зависимости диаграмм рассеяния света
от температуры образцов и влияние термообработки на характерные параметры
неоднородностей.