Пространственный масштаб статистических флуктуаций потенциала в МДП структурах

С помощью модели неоднородного распределения заряда на границе раздела полупроводник–диэлектрик, допускающей аналитическое решение уравнения Пуассона для трехмерного потенциала, анализируется экранирующее действие затвора при обеднении и слабой инверсии и вычисляется оптимальный размер неоднородностей, дающих основной вклад в амплитуду отклонения потенциала от средней величины. Показано, что рассматриваемая модель неоднородностей в виде «шахматного поля» по ряду параметров хорошо описывает флуктуации потенциала в МДП структуре вблизи поверхности полупроводника, вызванные случайно распределенными дискретными зарядами.