А. М. Грехов, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко, “Теоретические модели дефектов в аморфном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 8,страницы 1392

Теоретические модели дефектов в аморфном кремнии

А. М. Грехов, Г. М. Клапченко, Ю. П. Цященко

Аннотация: В рамках кластерного подхода полуэмпирическими методами (ППДП/2, ЧПДП, МЧПДП/3) рассчитаны электронные структуры и плотности состояний трех типов дефектов в $a$-Si : оборванных связей, вакансий, примесных атомов (Р, В, О).