Избыточные токи и структурные дефекты в In$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Si-светодиодах

В целях выявления связи избыточных токов со структурными нарушениями в светоизлучающих $p{-}n$-гомопереходах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Si/GaAs (${x=0.035}$) изучено поведение ВАХ и $C{-}V$-характеристик и проведены металлографические исследования на диодах с различным совершенством при облучении подпороговыми электронами с ${E=250}$ кэВ. Показана существенная структурная неравновесность исследуемой гетеросистемы и установлена корреляция между плотностью дислокаций на гетерогранице и в области ОПЗ $p{-}n$-перехода и величиной избыточных токов. В результате облучения (${\Phi<10^{15}\,\text{эл}/\text{см}^{2}}$) туннельная компонента прямых и обратных токов уменьшается сильнее в менее совершенных диодах. При ${\Phi\gtrsim10^{15}\,\text{эл}/\text{см}^{2}}$ происходит рост термополевой компоненты Iобр и уменьшение наклона ее температурной зависимости, одновременно в области ОПЗ наблюдается перемещение дислокаций и возрастание их плотности.
Сделан вывод о том, что термополевые токи обусловлены уровнями в запрещенной зоне, созданными наклонными к плоскости $p{-}n$-перехода дислокациями, в то время как туннельные токи связаны с точечными дефектами, по-видимому, декорирующими дислокации.