Повреждение GaAs при имплантации Al$^{+}$ и P$^{+}$ с различной плотностью ионного тока

Представлены и обсуждаются новые результаты исследования с применением метода ОР каналированных ионов в условиях повышенного глубинного разрешения динамики повреждения структуры кристаллов арсенида галлия при имплантации ионов алюминия и фосфора с различной плотностью ионного тока (${j=0.1{-}5\,\text{мкА/см}^{2}}$).
Показано, что в изученном интервале доз ионов ($10^{14}{-}10^{16}\,\text{см}^{-2}$) слоевая концентрация дефектов в имплантированных кристаллах и их распределение по глубине существенно зависят от величины ионного тока ионов как фосфора, так и алюминия. Эффект объясняется изменением соотношения формирующихся в арсениде галлия различных типов вторичных дефектов при разных $j$ внедряемых ионов.