К вопросу о природе некоторых электронных ловушек в арсениде галлия

Исследована зависимость от давления пара мышьяка поверхностной концентрации различных глубоких центров в арсениде галлия. Показано, что концентрации доноров с уровнем около $E_{c}{-}0.8$ эВ (так называемых центров EL 2) и дефектов с уровнем $E_{c}{-}0.54$ эВ (так называемых центров EL 3) возрастают с давлением пара мышьяка как $P^{1/2}_{\text{As}_{i}}$.
Квазихимический анализ и имеющиеся литературные данные позволяют обоснованно предположить, что с первыми центрами связаны комплексы антиструктурных дефектов As$_{\text{Ga}}$ с примесными акцепторами, а с центрами EL 3 — дефектные ассоциации As$_{i}{-}$As$_{i}$ или As$_{i}{-}V_{\text{Ga}}$.