Аномалия электрических и фотоэлектрических свойств в $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Исследованы температурные зависимости коэффициента Холла и времени релаксации фотопроводимости ($\tau$) в кристаллах $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${0.2 < x < 0.3}$) в области температур ${4.2\leqslant T<300}$ K. При низких температурах (${T< 20}$ K) изменение исследованных коэффициентов аномально.
Полученные результаты интерпретируются в рамках модели, учитывающей существование в кристаллах $p$-типа каналов с электронной проводимостью. Показано, что наличие $p{-}n$-переходов на границах этих каналов и основного объема кристалла приводит к увеличению $\tau$ за счет разделения неравновесных носителей в поле перехода. Сделаны оценки сечений каналов и концентрации электронов в них.