RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 8, страницы 1462–1466 (Mi phts1895)

Край собственного поглощения и катодолюминесценция нелегированных эпитаксиальных слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N

Г. А. Коркоташвили, А. Н. Пихтин, И. Г. Пичугин, А. М. Царегородцев


Аннотация: Приведены результаты исследования спектров собственного поглощения и катодолюминесценции монокристаллических эпитаксиальных слоев твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, полученных хлоридно-гидридным методом из газовой фазы во всей области составов (${0\leqslant x\leqslant1}$). Из анализа спектров поглощения определена зависимость экситонной ширины запрещенной зоны от состава при ${T=80}$ K ${E_{gx}(x)=3.463+2.737x-0.35x (1-x)}$. В спектрах люминесценции при больших уровнях возбуждения наблюдалась краевая полоса при энергиях, соответствующих $E_{gx}$. Сопоставление спектров поглощения и люминесценции показало, что при обычных уровнях возбуждения преобладают примесные полосы. Приведены зависимости энергетического положения этих полос от состава.



© МИАН, 2024