Физика и техника полупроводников,
1984, том 18, выпуск 8,страницы 1462–1466(Mi phts1895)
Край собственного поглощения и катодолюминесценция нелегированных
эпитаксиальных слоев
Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N
Г. А. Коркоташвили, А. Н. Пихтин, И. Г. Пичугин, А. М. Царегородцев
Аннотация:
Приведены результаты исследования спектров собственного поглощения
и катодолюминесценции монокристаллических эпитаксиальных слоев твердых
растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N, полученных хлоридно-гидридным методом из
газовой фазы во всей области составов (${0\leqslant x\leqslant1}$).
Из анализа спектров поглощения определена зависимость экситонной ширины
запрещенной зоны от состава при ${T=80}$ K ${E_{gx}(x)=3.463+2.737x-0.35x
(1-x)}$. В спектрах люминесценции при больших уровнях возбуждения наблюдалась
краевая полоса при энергиях, соответствующих $E_{gx}$. Сопоставление спектров
поглощения и люминесценции показало, что при обычных уровнях возбуждения
преобладают примесные полосы. Приведены зависимости энергетического положения
этих полос от состава.