К вопросу об определении контактной разности потенциалов структуры с потенциальным барьером

Рассмотрена задача корректного определения контактной разности потенциалов $U_{D}$ из характеристики емкость–напряжение полупроводниковой структуры с потенциальным барьером, когда измеряемая емкость $C_{\text{м}}$ из-за наличия последовательного активного сопротивления структуры $r$ сильно отличается от истинной барьерной емкости $C_{b}$.
В этом случае емкостное напряжение отсечки $U^{c}_{\text{отс}}$, определяемое из ${C_{\text{м}}{-}U}$-характеристики структуры с однородным распределением ионизованных примесных центров в слое объемного заряда, оказывается связанным с истинной барьерной емкостью в нуле напряжения $C_{b0}$ сопротивлением $r$ и частотой измерительного сигнала $\omega$ соотношением ${U^{c}_{\text{отс}}=U_{D}(1+2r^{2}C^{2}_{b0}\omega^{2})}$. Поэтому для определения $U_{D}$ следует измерить семейство $C_{\text{м}}{-}U$-характеристик при разных $\omega$ и, получив линейную зависимость между $U^{c}_{\text{отс}}$ и $\omega^{2}$, определить $U_{D}$ экстраполяцией этой зависимости к значению ${\omega^{2}=0}$.
Экспериментально изучалась зависимость $U^{c}_{\text{отс}}$ от $\omega$ на примере GaP поверхностно-барьерных структур; связь между $U^{c}_{\text{отс}}$ и $\omega^{2}$ оказалась линейной при различных температурах, а значения $U_{D}$ совпали со значениями, определенными из спектра фототока.