Поведение амфотерной примеси Sn в эпитаксиальных слоях GaSb$\langle$Sn$\rangle$ и GaSb$\langle$Cd, Sn$\rangle$

Выполнено исследование эпитаксиальных слоев GaSb, легированных амфотерной (Sn) и обычной акцепторной (Cd) примесями совместно в процессе эпитаксиального наращивания при охлаждении насыщенных растворов-расплавов GaSb в металлах II и IV групп.
Приводятся спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaSb$\langle$Cd, Sn$\rangle$, а также зависимости спектрального положения и относительной интенсивности наблюдаемых полос фотолюминесценции от условий жидкофазной эпитаксии, обсуждается их взаимосвязь с электрофизическими характеристиками и примесным составом эпитаксиальных слоев. В случае сильного легирования амфотерной примесью электрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb$\langle$Sn$\rangle$ в значительной степени определяются примесными комплексами ($V_{\text{Ga}}$Sn$_{\text{Sb}}$) и (Sn$_{\text{Ga}}$Sn$_\text{Sb}$), что указывает на влияние амфотерной примеси на процесс дефектообразования в GaSb. Показано, что в условиях сложного легирования наблюдается и обратный эффект воздействия электронно-дырочного равновесия в слоях на распределение амфотерной примеси в кристаллической решетке GaSb, о чем свидетельствует уменьшение интенсивности либо полное исчезновение полос фотолюминесценции, связанных с соответствующими примесными комплексами. Дано качественное объяснение экспериментальных результатов с помощью квазихимических реакций, описывающих процессы, происходящие в кристаллической решетке GaSb при формировании эпитаксиальных слоев.