Фотоотражение имплантированных B$^{+}$ кристаллов Cd$_{0.27}$Hg$_{0.73}$Te в области краевого поглощения

В области краевого поглощения при 80 и 300 K исследованы спектры фотоотражения кристаллов $p$-Cd$_{0.27$Hg$_{0.73}$Te}, имплантированных ионами В$^{+}$ с энергией 100 кэВ в интервале доз ${10^{12}\div10^{15}\,\text{см}^{-3}}$. Изучены дозовые зависимости сдвига Бурштейна–Мосса структуры фотоотражения, а также концентрации свободных электронов приповерхностного $n^{+}$-слоя, возникшего в результате имплантации. Установлена корреляция между концентрационными профилями радиационных дефектов и свободных электронов.