RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5, страницы 794–798 (Mi phts191)

Влияние энергии связи атомов с решеткой на кинетику отжига радиационных дефектов в германии $p$-типа

А. Б. Герасимов, М. К. Гоготишвили, Б. М. Коноваленко

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Проведено исследование особенностей кинетики отжига радиационных дефектов в германии $p$-типа с различными примесями III группы. Обнаружена связь в поведении образцов, легированных бором, алюминием, галлием и индием, с различием в энергии ионизации этих примесей. Приведены возможные механизмы стадий отжига и объяснение их особенностей, связанных с различием в энергиях связи примесей с решеткой полупроводника.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 23.04.1985
Принята в печать: 16.10.1985



© МИАН, 2024