RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 8, страницы 1513–1516 (Mi phts1914)

Краткие сообщения

Эффект «памяти» в случае наносекундного переключения в неупорядоченных пленках теллуридов In, Ge, Si

С. Балявичюс, А. Декснис, А. Пошкус, Н. Шикторов




© МИАН, 2024