RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1984
, том 18,
выпуск 8,
страницы
1513–1516
(Mi phts1914)
Краткие сообщения
Эффект «памяти» в случае наносекундного переключения в неупорядоченных пленках теллуридов In, Ge, Si
С. Балявичюс
, А. Декснис
, А. Пошкус
,
Н. Шикторов
Полный текст:
PDF файл (644 kB)
©
МИАН
, 2024