Особенности электронно-зондового анализа $p{-}n$-структур по зависимости индуцированного тока от ускоряющего напряжения

Получено аналитическое выражение зависимости величины тока, индуцированного электронным зондом, от ускоряющего напряжения для полупроводниковой $p{-}n$-структуры, когда электронный зонд перпендикулярен плоскости $p{-}n$-перехода. При этом учтены конечные размеры области генерации электронно-дырочных пар и диффузия носителей к $p{-}n$-переходу как в $p$-, так и в $n$-области структуры.
Показано, что полученное выражение позволяет по экспериментальным зависимостям определять диффузионную длину электронов и дырок, скорость поверхностной рекомбинации, влияние на эти параметры рекомбинационно-активных дефектов, объяснить обнаруженное явление инверсии контраста от морфологии поверхности на изображениях $p{-}n$-структур в режиме тока, индуцированного электронным зондом в РЭМ, определять местонахождение выявляемых дефектов относительно $p{-}n$-перехода.
Проведено сопоставление расчетных и экспериментальных зависимостей, а также результатов анализа полученного выражения с экспериментальными данными, установлено их хорошее согласие.