RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 9, страницы 1552–1555 (Mi phts1924)

Спин-зависимая генерация неравновесных носителей заряда

Ф. И. Борисов, В. И. Стриха, О. В. Третяк, А. А. Шматов


Аннотация: Приведены экспериментальные исследования относительного изменения обратного тока $\Delta I/I$ в кремниевых диодах в условиях спинового резонанса. Постоянная времени $\tau$ имеет ярко выраженный активационный характер и по абсолютной величине значительно превышает время жизни неравновесных носителей заряда. Полученные результаты указывают на существование в полупроводниках нового явления — спин-зависимой генерации неравновесных носителей заряда.



© МИАН, 2024