RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 9, страницы 1577–1582 (Mi phts1929)

Особенности неустойчивости в условиях отрицательной дифференциальной проводимости при наличии двух сортов носителей

М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев


Аннотация: На основе численного моделирования и анализа автомодельных решений системы уравнений полевой модели исследованы особенности неустойчивости при наличии двух сортов носителей — электронов и дырок. При анализе использовались параметры теллура, в котором такие неустойчивости недавно наблюдались экспериментально.
Показано, что решения типа обогащенного слоя являются весьма устойчивыми по отношению к флуктуациям легирования. Уединенные волны типа домена возникают лишь в образцах большой длины с очень большой неоднородностью легирования при плавном подъеме напряжения. Движение вдоль образца неустойчивостей любого типа сопровождается возрастанием концентрации электронов и дырок в образце даже при отсутствии ударной ионизации. Скорость обогащенного слоя оказывается значительно выше, чем скорость уединенной волны типа домена.



© МИАН, 2024