Аннотация:
На основе численного моделирования и анализа автомодельных
решений системы уравнений полевой модели исследованы особенности
неустойчивости при наличии двух сортов носителей — электронов и дырок.
При анализе использовались параметры теллура, в котором такие
неустойчивости недавно наблюдались экспериментально. Показано, что решения типа обогащенного слоя являются весьма устойчивыми
по отношению к флуктуациям легирования. Уединенные волны типа домена
возникают лишь в образцах большой длины с очень большой неоднородностью
легирования при плавном подъеме напряжения. Движение вдоль образца
неустойчивостей любого типа сопровождается возрастанием концентрации
электронов и дырок в образце даже при отсутствии ударной ионизации.
Скорость обогащенного слоя оказывается значительно выше, чем скорость
уединенной волны типа домена.