Поперечный фотовольтаический эффект в кремнии, обусловленный междолинным диффузионным перезаселением электронов при лазерном возбуждении

Экспериментально и теоретически исследован поперечный фотовольтаический эффект в кремнии, обусловленный междолинным диффузионным перезаселением электронов при лазерном возбуждении. При комнатной температуре определены величины времени междолинной релаксации электронов в объеме ${\tau_{i}=2\cdot10^{-11}}$ с и скорости междолинной релаксации электронов на поверхности ${\sigma_{i}=2\cdot10^{7}}$ см/с. Обсуждается влияние неравновесных носителей на механические напряжения в приповерхностном слое кристалла при лазерном возбуждении.