Электрические свойства неидеальных гетеропереходов $n$-GaP/$p$-Si и $n$-GaAs/$p$-Si

На гетероструктурах $n$-GaP/$p$-Si, полученных ионно-жидкостной эпитаксией, и $n$-GaAs/$p$-Si, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследованы вольтамперные характеристики (ВАХ) при прямых смещениях в интервале температур $77{-}300$ K и вольтфарадные характеристики (ВФХ) при 300 K на частоте 30 кГц. ВАХ интерпретированы в модели активационно-туннельно-рекомбинационных токов при условии перезарядки пограничных состояний (ПС). Найденные из измерений ВАХ и ВФХ значения кажущейся контактной разности потенциалов объясняются в предположении о существенной роли заряда ПС и дипольных слоев на гетерограницах.