Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия $n$-типа со скоплениями акцепторов

Обнаружено, что скорости введения стабильных при комнатной температуре дефектов донорного и акцепторного типа в $n$-InP при гамма-облучении различны в зависимости от вида компенсирующей примеси. Наиболее активно взаимодействуют с дефектами атомы цинка. Облучение приводит также к росту скоплений акцепторов, причем этот рост наиболее ярко выражен в InP$\langle$Zn$\rangle$. Подтверждено наличие дополнительного механизма рассеяния носителей заряда, связанного с существованием скоплений компенсирующих центров, и найдена температурная зависимость эффективности этого механизма ${\mu\sim T^{-1.2}}$.