О параметрической неустойчивости в фоточувствительном полупроводнике, обусловленной движущейся решеткой интенсивности освещения

Получено дисперсионное уравнение для параметрически взаимодействующих волн пространственного заряда (ВПЗ) в дрейфующей холодной монополярной плазме фоточувствительного полупроводника. Такое взаимодействие становится возможным в полупроводниках с глубокими уровнями из-за появления в спектре ВПЗ специфических волн пространственной перезарядки ловушек. В качестве волны накачки рассматривалась бегущая слабоконтрастная решетка интенсивности освещения. Показано, что в случае достаточно мощной накачки имеет место конвективная неустойчивость ВПЗ.