Остаточная проводимость в (AgInTe$_{2}$)$_{0.5}$(2HgTe)$_{0.5}$

Приведены результаты экспериментальных исследований остаточной проводимости (ОП) в (AgInTe$_{2}$)$_{0.5}$(2HgTe)$_{0.5}$. Состояние ОП вызывается ультрафиолетовым облучением или резкими изменениями температуры. Ряд особенностей наблюдаемого явления ОП не находит своего объяснения в рамках известной модели неоднородного полупроводника с рекомбинационными барьерами. Обсуждается возможный механизм явления, заключающийся в том, что облучение или колебания температуры приводят к возникновению неравновесной концентрации пар Френкеля, одни из компонентов которых (межузельные атомы) выступают в качестве доноров.