Низкопороговые инжекционные InGaAsP/GaAs ДГС лазеры с раздельным ограничением, полученные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.78\div0.87}$ мкм, ${I_{\text{пор}}=460\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)

Изготовлены и исследованы лазеры на основе InGaAsP/GaAs-гетероструктур, в которых между узкозонной активной областью (${E_{g}=1.43\div1.55}$ эВ) и широкозонными In$_{0.49}$Ga$_{0.51}$P-эмиттерами имеются дополнительные волноводные слои InGaAsP с промежуточным значением $E_{g}$ (${\simeq1.7}$ эВ). Толщина активной области составляет ${2\cdot10^{-2}}$ мкм, а общая толщина волноводных слоев порядка 0.4 мкм. Минимальное значение порога для четырехсколотых образцов равно ${460\,\text{А/см}^{2}}$ (${T=300}$ K). Получена генерация в непрерывном режиме при комнатной температуре на лазерах, не имевших полосковых конструкций.