Фотоэлектрические и оптические свойства пленок $a$-Si : H с имплантированными ионами фосфора и бора

Приводятся результаты комплексного исследования свойств пленок $a$-Si : Н, легированных методом имплантации ионов В и Р, т. е. примесями, которые обычно используются при легировании в процессе роста пленки. На одних и тех же образцах измерялись температурные зависимости электропроводности, спектры оптического поглощения, фотопроводимости и фотолюминесценции. Для сравнения проведены некоторые исследования исходных нелегированных пленок и легированных из газовой фазы.