Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника

Исследуются квазистационарные электрические характеристики гетероструктур GaAs$-$Ga$_{2}$Se$_{3}{-}$Al. Изучена модуляция областей пространственного заряда внешним электрическим полем с учетом стационарного тока проводимости. Обосновываются перспективы использования гетероструктур для создания $n$-канальных полевых транзисторов на основе GaAs.