Об определении параметров глубоких центров методом емкостной спектроскопии

Теоретически вычислено время релаксации емкости полупроводниковой барьерной структуры с глубокими центрами. Показано, что в веществах с низкой подвижностью носителей при высокой концентрации центров общепринятая формула емкостной спектроскопии ${\tau=(\gamma N_{c})^{-1}\exp(\varepsilon_{i}/kT)}$ перестает быть справедливой.