Поперечный фотовольтаический эффект, возникающий при лазерном возбуждении германия вследствие термического изменения ширины запрещенной зоны полупроводника

Теоретически и экспериментально исследован поперечный фотовольтаический эффект в образцах германия при их освещении мощными импульсами сильно поглощаемого излучения. Эффект возникает в результате дрейфа неравновесных носителей заряда в приповерхностной области кристалла с наведенной анизотропией электропроводности и является следствием неоднородного разогрева полупроводника возбуждающим светом. Анизотропию проводимости создают термоупругие напряжения, понижающие симметрию кристалла. Дрейф носителей происходит в поле, которое образуется вследствие термического изменения ширины запрещенной зоны полупроводника.
Результаты опытов удовлетворительно согласуются с расчетами.