Захват горячих электронов в структурах эпитаксиальная пленка $n$-GaAs–полуизолирующая подложка

На основе имеющихся экспериментальных результатов предложена модель захвата электронов в структурах эпитаксиальная пленка $n$-GaAs-полуизолирующая подложка. Модель основана на предположении, что горячие электроны, появляющиеся в пленке в сильных электрических полях, проникают через барьер, имеющийся на границе раздела пленка–подложка, и захватываются на центры в полуизолирующей подложке. Справедливость данной модели подтверждается экспериментами по изменению высоты барьера на границе раздела с помощью поперечного напряжения, прикладываемого между пленкой и подложкой.