Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

Исследована линейная поляризация фотолюминесценции эпитаксиальных структур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs в интервале составов ${0.08<x< 0.12}$, ${0 < y< 0.08}$, являющихся основой для создания неохлаждаемых эффективных источников света в интервале 3.5$-$4.5 мкм. Толщина исследованных слоев составляла 40$-$60 мкм, причем ширина запрещенной зоны убывала от гетерограницы к поверхности слоя.
По спектральному распределению степени линейной поляризации определены величины и направления упругих деформаций в слоях $n$- и $p$-типа: слои оказались растянутыми в направлении [111], величина энергетического расщепления между подзонами легких и тяжелых дырок для исследуемых образцов варьировалась от 3.2 до 0.9 мэВ; несоответствие периодов решетки слоя и подложки в направлении, перпендикулярном гетерогранице, приводящее к такой деформации, изменялось от ${7.7\cdot10^{-4}}$ до ${2.2\cdot10^{-4}}$; соответствующая внешняя эквивалентная нагрузка составляла ${(7.0\div2.0)\cdot10^{7}\,\text{н/м}^{2}}$. Полученные данные важны для прогнозирования срока службы полупроводниковых приборов.