Эффект радиационного упорядочения в гетеропереходах ($p$-Si)$-$($n$-GaP)

Исследовано влияние $\gamma$-облучения на электрические и фотоэлектрические характеристики неидеального гетероперехода ($p$-Si)$-$($n$-GaP). Показано, что облучение достаточно малыми дозами, почти не изменяющее объемных свойств кремния, существенно улучшает электрические и рекомбинационные характеристики границы раздела и параметры гетероперехода как фотопреобразователя солнечной энергии в электрическую. Наблюдаемый эффект объясняется стимулированным радиацией структурно-примесным упорядочением границы раздела.