Аннотация:
В результате изучения процесса релаксации
фотопроводимости (ФП) в кристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$ в интервале
времен ${10^{-7}\div5\cdot10^{-2}}$ с найдено,
что он не характеризуется одной постоянной
времени спада. Выяснено, что при низких температурах на характер спада ФП
оказывает влияние захват неравновесных носителей уровнями прилипания.
Установлено, что основным механизмом, определяющим долговременной
(${5\cdot10^{-5}\div5\cdot10^{-2}}$ с) участок релаксации ФП в
температурном интервале ${20\div300}$ K, является активационный, связанный
с потенциальным рельефом, который возникает в результате неоднородного
распределения в кристаллах заряженных примесей.