RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 10, страницы 1812–1815 (Mi phts1987)

Особенности релаксации фотопроводимости в монокристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$

А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки


Аннотация: В результате изучения процесса релаксации фотопроводимости (ФП) в кристаллах InP$\langle$Fe$\rangle$ в интервале времен ${10^{-7}\div5\cdot10^{-2}}$ с найдено, что он не характеризуется одной постоянной времени спада. Выяснено, что при низких температурах на характер спада ФП оказывает влияние захват неравновесных носителей уровнями прилипания. Установлено, что основным механизмом, определяющим долговременной (${5\cdot10^{-5}\div5\cdot10^{-2}}$ с) участок релаксации ФП в температурном интервале ${20\div300}$ K, является активационный, связанный с потенциальным рельефом, который возникает в результате неоднородного распределения в кристаллах заряженных примесей.



© МИАН, 2024