RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 10, страницы 1862–1867 (Mi phts1998)

Задача об узлах и холловская «подвижность»в поликристаллических пленках с потенциальными барьерами

Ш. Б. Атакулов


Аннотация: Рассмотрены особенности потенциального рельефа поликристаллических пленок. Показано, что высота барьеров ($\varphi_{\text{Б}}$) в узлах (место контакта трех и более кристаллитов) в зависимости от концентрации пограничных состоянии (ПС) больше высоты барьера ($\varphi_{\text{A}}$) на границах кристаллитов (ГК) или совпадает с ней. В связи с этим узлы в пленках для основных носителей заряда «заперты» и токоперенос вдоль ГК не осуществляется. В отсутствие инверсии типа проводимости на ГК холловская ЭДС генерируется в квазинейтральных областях кристаллитов и в барьерных областях, перпендикулярных линиям тока. При любом соотношении между размерами кристаллитов и барьерных областей коэффициент Холла ($R_{H}$) пленки определяется средней в кристаллитах концентрацией носителей заряда, близкой к концентрации носителей в квазинейтральных областях ($n_{0}$). Энергия активации холловской «подвижности» равна энергии активации электропроводности $\varphi_{\text{A}}$. В случае, когда в кристаллитах квазинейтральные области отсутствуют, $R_{H}$ определяется концентрацией носителей заряда в центре кристаллитов.



© МИАН, 2024