Аннотация:
Рассмотрены особенности потенциального рельефа
поликристаллических пленок. Показано, что высота барьеров
($\varphi_{\text{Б}}$) в узлах (место контакта трех и более
кристаллитов) в зависимости от концентрации пограничных состоянии (ПС) больше
высоты барьера ($\varphi_{\text{A}}$) на границах кристаллитов (ГК) или
совпадает с ней. В связи с этим узлы в пленках для основных носителей заряда
«заперты» и токоперенос вдоль ГК не осуществляется. В отсутствие
инверсии типа проводимости на ГК холловская ЭДС генерируется в
квазинейтральных областях кристаллитов и в барьерных областях,
перпендикулярных линиям тока. При любом соотношении между размерами
кристаллитов и барьерных областей коэффициент Холла ($R_{H}$) пленки
определяется средней в кристаллитах концентрацией носителей заряда, близкой
к концентрации носителей в квазинейтральных областях ($n_{0}$). Энергия
активации холловской «подвижности» равна энергии активации
электропроводности $\varphi_{\text{A}}$. В случае, когда в кристаллитах
квазинейтральные области отсутствуют, $R_{H}$ определяется концентрацией
носителей заряда в центре кристаллитов.