Электронные уровни нейтральных вакансий в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

Энергии связанных и резонансных состояний нейтральных вакансий в семи полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ вычислены методом функции Грина в модели удаленных неортогональных орбиталей с применением параметризованного гамильтониана сильной связи. Сравнение с моделью удаленных ортогональных орбиталей обнаруживает сдвиги энергетических уровней вакансий с симметрией $a_{1}$ точечной группы тетраэдра. Эти сдвиги объясняются более точным описанием зон проводимости полупроводников A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ в базисе блоховских сумм, построенных на неортогональных локализованных орбиталях.