Ионизационно-стимулированный отжиг пар Френкеля в германии и кремнии в условиях электронного и гамма-облучения при гелиевых температурах

Предложена и обсуждается модель отжига компонентов пары Френкеля, созданных при низкотемпературном (${<10}$ K) облучении электронами или гамма-квантами с энергией ${\sim1}$ МэВ в германии и кремнии. Межузельный атом ($I$) обладает в том и другом полупроводниках донорным состоянием, захват неравновесной дырки приводит к появлению кулоновского притяжения между $I^{+}$ и отрицательно заряженной вакансией ($V^{-}$) и последующей аннигиляции компонентов пары Френкеля. Наиболее вероятно, что миграция $I$ осуществляется путем последовательных перескоков из изолированного ($T$ или $H$) межузельного положения в гантельную конфигурацию, и наоборот; при этом перемещение носит эстафетный характер. Предполагается, что положения, энергетических уровней $I$ и $V$ зависят от расстояния между компонентами пары Френкеля и при больших расстояниях $I$ электрически не активен, пара разделяется и оба компонента могут участвовать в формировании стабильных дефектов. Анализ ситуации показывает, что с помощью описанных представлений об ионизационно-стимулированной аннигиляции пар могут быть объяснены экспериментально наблюдаемые значения скоростей и кинетика образования дефектов при низкотемпературном облучении германия и кремния.