М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 5,страницы 844

Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния

М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Исследовались вольтамперные характеристики (ВАХ) диодных структур на основе SiC в интервале температур ${293\div800}$ K. Установлено, что обратные токи при высоких температурах обусловлены генерацией носителей в области объемного заряда.
Прямые ВАХ описывались экспоненциальной зависимостью и состояли из двух участков. Показано, что при высоких температурах протекание прямого тока на первом участке ВАХ описывается теорией Шокли–Нойса–Саа. Протекание прямого тока на втором участке ВАХ можно объяснить механизмом рекомбинации носителей через многоуровневый центр в слое объемного заряда.

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 10.09.1985
Принята в печать: 26.11.1985