Особенности комплексообразования в $p$-CdTe при значительных концентрациях собственных дефектов

Исследованы электрофизические свойства нелегированных кристаллов $p$-CdTe, закаленных от высоких температур. Установлено, что полученный материал содержит значительное количество (${\simeq10^{18}\,\text{см}^{-3}}$) собственных дефектов ($V'_{\text{Cd}}$, Cd$^{\bullet}_{i}$), образующих ассоциаты с низкой энергией взаимодействия, основная часть которых (${\sim60}$%) диссоциирует при ${T=350\div385}$ K.