Позитронная аннигиляция в облученных кристаллах CdHgTe

Метод электронно-позитронной аннигиляции использован для изучения природы радиационных дефектов, возникающих в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при облучении их высокоэнергетическими $\gamma$-квантами до интегральных доз ${6\cdot10^{4}{-}2\cdot10^{5}}$ Р. Наблюдаемые изменения параметров аннигиляции рассматриваются в связи с характером собственных и радиационных дефектов, степенью локализации валентных и остовных электронов, а также рассмотрено их поведение при релаксации.
На основании полученных результатов проведена оценка концентрации и эффективного размера дефектов вакансионного типа, являющихся центрами захвата термализованных позитронов. Эффективность образования радиационных дефектов при $\gamma$-облучении зависит от исходной структуры кристаллов.