Глубокие центры в $p^{+}{-}p{-}n{-}n^{+}$-структурах высоковольтных диодов на основе арсенида галлия

Изучались глубокие центры в эпитаксиальных высоковольтных структурах $p^{+}{-}p{-}n{-}n^{+}$, выращенных из раствора-расплава. С помощью измерения профилей концентрации носителей заряда методом Копленда проанализированы зависимости n(х) для структур с различным значением пробойного напряжения. Показано, что для диодов с ${U_{\text{пр}}\simeq360\div860}$ В характерен сложный профиль концентрации. С помощью измерений НЕСГУ установлено, что в исследуемых диодах присутствуют ловушки для дырок ${E_{v}+0.35}$ эВ (${\sigma_{p}\approx2\cdot10^{-15}\,\text{см}^{2}}$), ${E_{v}+0.67}$ эВ (${\sigma_{p}=8\cdot10^{-16}\,\text{см}^{2}}$) и ${E_{v}+0.40}$ эВ (${\sigma_{p}=4\cdot10^{-19}\,\text{см}^{2}}$), первые два типа из которых соответствуют $A$- и $B$-ловушкам, обычно наблюдаемым в арсениде галлия, выращенном из раствора-расплава, оценены концентрации ловушек.